日前，小鵬汽車(chē)官微開(kāi)始對(duì)新車(chē)G9進(jìn)行預(yù)熱。對(duì)于這款集眾多前沿技術(shù)于一身得重磅大作，G9得亮點(diǎn)用兩只手都很難數(shù)得過(guò)來(lái)，不過(guò)要論最基礎(chǔ)得技術(shù)優(yōu)勢(shì)，那么無(wú)疑就是動(dòng)力電池得高電壓平臺(tái)和SiC功率模塊了，這是其他競(jìng)品很難模仿和超越得。為什么高電壓平臺(tái)和SiC功率模塊對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)來(lái)說(shuō)如此重要？

高電壓平臺(tái)=充電快+更安全

新能源車(chē)主得一大焦慮就是充電慢，而高電壓平臺(tái)恰好解決了這一難題。

根據(jù)物理定律，在電池容量一定得情況下縮短充電時(shí)間，需要提高充電功率：t（充電時(shí)間）=W（充電量）/P（充電功率）。汽車(chē)行業(yè)提高充電功率得普遍技術(shù)路線，一是提高充電電壓，二是提高充電電流：P（充電功率）=U（電壓）*I（電流）。

小鵬G9利用800V高壓平臺(tái)做到了高電壓和高電流雙管齊下：電流方面，峰值充電電流可達(dá)600+A；電壓方面，量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)得架構(gòu)電壓普遍在400-500V，而小鵬實(shí)現(xiàn)了遠(yuǎn)超行業(yè)平均工作電壓得800V級(jí)，并可兼容不同電壓充電樁。這樣一來(lái)，800V高壓平臺(tái)帶來(lái)得充電體驗(yàn)將會(huì)更加快捷，新能源車(chē)型與傳統(tǒng)油車(chē)在補(bǔ)能方面得差距將大大縮小。

不過(guò)需要注意得是，提高動(dòng)力電池電壓不是車(chē)企可以一家說(shuō)了算得，需要車(chē)輛平臺(tái)架構(gòu)得支持、電池電芯得升級(jí)和整車(chē)高壓模塊（DCDC、OBC）得升級(jí)等等，所以此前更多車(chē)企選擇提升充電電流來(lái)加快充電速度。但是高電流意味著更大得發(fā)熱量和對(duì)電纜得高規(guī)格要求，非常影響充電安全。高電壓平臺(tái)便是為了在恒定充電功率下，減小電流而做到更好得安全表現(xiàn)。小鵬G9得600+A電流，一定是出現(xiàn)在小鵬最新得480kW級(jí)超級(jí)充電樁上得。

目前為止，市面上在售得采用800V動(dòng)力電池平臺(tái)得車(chē)型僅有保時(shí)捷Taycan和即將預(yù)售得小鵬G9，其他采用高電壓平臺(tái)（500V以上）得產(chǎn)品還有極狐阿爾法系列和比亞迪部分車(chē)型。

SiC功率模塊，高電壓平臺(tái)得可靠些搭檔

與動(dòng)力電池電壓一同提升得，往往還有一個(gè)電動(dòng)車(chē)上雖然不起眼，但是對(duì)車(chē)輛各方面性能表現(xiàn)至關(guān)重要得零部件——功率開(kāi)關(guān)模塊。

我們都知道，想讓電動(dòng)車(chē)跑起來(lái)，需要電池、電機(jī)和電控得良好配合。但是電池和電機(jī)之間存在一點(diǎn)“交流障礙”：電池輸出得是直流電，電機(jī)需要輸入得交流電。想要讓二者無(wú)障礙協(xié)作，就需要一個(gè)名叫“功率器件”得轉(zhuǎn)換器，將直流電轉(zhuǎn)化為交流電。功率器件得性能，直接決定電動(dòng)汽車(chē)得加速、極速、電耗等核心性能表現(xiàn)。

目前采用更多得是硅基IGBT功率開(kāi)關(guān)，由于本身得承壓能力所限，車(chē)輛電池電壓很難超過(guò)700V，所以高電壓平臺(tái)下得車(chē)輛功率開(kāi)關(guān)模塊就需要SiC碳化硅來(lái)搭檔了。得益于耐高壓得特性，碳化硅可以控制更高得系統(tǒng)電壓，因此被認(rèn)為是800V高壓平臺(tái)得可靠些拍檔。

顧名思義，碳化硅是碳和硅組成得化合物。同樣作為半導(dǎo)體材料，碳元素得加入讓碳化硅得性能從1.0躍升到3.0，在功率密度、禁帶寬度、電子漂移飽和速度和熱導(dǎo)率等方面可謂是全方位碾壓。以更直白易懂得方式總結(jié)一下碳化硅得核心優(yōu)勢(shì)，就是高效率、低損耗、耐高溫。小鵬G9通過(guò)應(yīng)用高壓SiC技術(shù)，電驅(qū)綜合效率提升了2%以上。具體到能為車(chē)主提供得利益，主要體現(xiàn)在增加續(xù)航里程和節(jié)省車(chē)內(nèi)空間。

只是由于目前在產(chǎn)能和成本方面仍無(wú)法與IGBT相媲美，碳化硅器件得普及還需要時(shí)間，業(yè)內(nèi)對(duì)2025年碳化硅MOSFET得滲透率預(yù)期普遍在20%左右，未來(lái)幾年內(nèi)IGBT仍將是電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)最主流得功率半導(dǎo)體器件。

未來(lái)普及得高電壓平臺(tái)電動(dòng)汽車(chē)，在使用體驗(yàn)上將會(huì)有極大得提升，特別是充電效率上，屆時(shí)與燃油車(chē)得補(bǔ)能時(shí)間差距也會(huì)進(jìn)一步縮短。在如今高油價(jià)背景下，電動(dòng)汽車(chē)得優(yōu)勢(shì)再次被放大，電動(dòng)化取代傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)得腳步越來(lái)越快。